三星重启Z-NAND技术，拟将新一代产品性能提至传统NVMe SSD的15倍

💡 产品介绍

2025年8月，三星在FMS存储论坛宣布重启搁置七年的Z-NAND技术，定位为AI时代的高性能存储解决方案。新一代Z-NAND目标性能达到传统NAND闪存的15倍，功耗降低80%，并引入革命性的GIDS（GPU直连存储）技术，允许GPU直接访问数据，彻底绕过CPU与DRAM瓶颈。这一举措填补了英特尔Optane退市后的市场空白，剑指万亿级AI算力需求。

🎯 适用人群

AI研发团队：需加速大型模型训练/推理。
数据中心运营商：追求低延迟、高能效存储方案。
高性能计算用户：如金融实时交易、科学仿真场景。
游戏与渲染工作室：依赖GPU高速加载资源。

⚙️ 核心功能与技术实现

GIDS架构（GPU直连存储）
- 原理：GPU通过PCIe通道直接访问Z-NAND，无需经CPU和DRAM中转，减少数据迁移环节。
- 效果：大型AI模型的数据加载延迟降低40%+，训练周期缩短50%。
超低延迟设计
- 页大小压缩技术：将存储单元页大小从传统SSD的8-16KB压缩至2-4KB，实现更细粒度的数据读写。
- 控制器优化：采用定制低延迟控制器，响应时间≤20微秒，较NVMe SSD快15倍。
SLC模式加速
- 技术基础：基于48层V-NAND的SLC（单层单元）模式运行，牺牲容量换取极致速度和耐用性。
- 性能对比：随机读写性能达750K/170K IOPS（第一代数据），新一代目标再提升3倍。
能效突破
- 功耗控制：采用动态电压调节和精简电路设计，同等负载下功耗比传统企业级SSD低80%。
AI专用数据通道
- 场景优化：针对AI工作流的连续大文件读写设计数据预取算法，提升GPU利用率30%。

💎 工具使用技巧

搭配PCIe 5.0平台：
- 在三星PM1743 SSD等PCIe 5.0环境中，Z-NAND的GIDS技术可发挥全速带宽（14+ GB/s）。
分层存储配置建议：
层级硬件用途
热数据层 Z-NAND + GPU直连实时AI推理/训练
温数据层 PCIe 5.0 SSD 高频访问数据库
冷数据层 QLC大容量SSD 归档与备份
避免小文件频繁写入：
- SLC模式虽耐用性高（第一代支持42PB写入），但建议将日志类写入分流至TLC SSD。