一、产品介绍
英诺赛科（Innoscience）作为全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体IDM企业，近期正式入选英伟达800V HVDC架构核心供应商名单，成为该生态中唯一中国芯片合作伙伴。
英伟达的Kyber机架系统是其为下一代AI数据中心设计的革命性供电架构，旨在解决传统54V电源在兆瓦级算力集群中的能耗与空间瓶颈。而英诺赛科凭借全链路GaN电源解决方案，覆盖800V输入至GPU终端的电压转换（15V-1200V），成为英伟达重构AI供电体系的关键技术支撑。
二、适用人群
- AI数据中心运营商：需提升能效与算力密度的技术团队
- 半导体行业从业者：关注第三代半导体技术落地的研发人员
- 新能源与工业电源工程师：探索高功率密度设计的实践者
- 科技投资者：追踪半导体产业链突破的投资机构
三、核心功能与技术实现
英诺赛科的800V GaN解决方案通过以下技术创新实现能效跃升：
| 功能模块 | 技术原理 | 性能提升 |
|---|---|---|
| 高压直连架构 | 将13.8kV交流电直接转换为800V直流，减少AC/DC多级转换环节 | 端到端能效提升5% |
| 三级DC-DC转换 | 高压/中压/低压分级架构，覆盖电网到GPU的全链路 | 高频效率达98.5% |
| 氮化镓功率器件 | 采用8英寸GaN-on-Si晶圆，导通电阻低、开关速度快的特性降低热损耗 | 铜缆用量减少45% |
| 空间优化设计 | 消除机架内AC/DC电源单元（PSU），释放空间容纳更多计算资源 | 机房面积缩减40% |
| 兆瓦级供电支持 | 通过800V HVDC母线槽传输电流，降低电阻损耗，支持单机柜功率密度突破300kW | 算力密度提升10倍 |
技术细节解析：
- GaN材料优势：
氮化镓的宽禁带特性（3.4eV）使其耐压能力远超传统硅基器件，同时实现零反向恢复电荷，减少开关损耗。 - IDM全链整合：
英诺赛科自主掌控衬底、外延生长、芯片制造到封装测试全流程，8英寸晶圆良率达95%，成本降低40%，保障高一致性交付。 - 热管理优化：
电流需求降低减少电阻发热，配合三级转换架构的电磁兼容设计，冷却能耗下降30%。
四、工具使用技巧
场景1：AI数据中心部署
- 架构过渡方案：
现有54V架构可通过增设工业级整流器（13.8kV AC→800V DC）逐步升级，兼容旧机柜。 - 空间再分配：
原电源架占用的64U空间可置换为计算单元，单机柜GPU密度提升3倍。
场景2：能效监控
- 动态负载调节：
利用GaN器件高频响应特性，实时匹配AI工作负载的峰值功率需求，避免过载宕机。
五、访问地址
- 英伟达Kyber架构白皮书：
https://www.nvidia.com/en-us/data-center/kyber/ - 英诺赛科产品技术文档：
https://www.innoscience.com/products/applications/data-center
行业影响：
这一合作标志着中国半导体企业首次深度参与全球AI基础设施标准制定。随着2027年800V HVDC架构的全面投产，英诺赛科的产能扩张计划（月产能从1.3万片增至7万片）将加速兆瓦级数据中心普及，推动AI算力成本降低30%。
© 版权声明
文章版权归作者所有，未经允许请勿转载。
相关文章
暂无评论...